נתונים עבור PDF IRF532F1 תוצאות חיפוש
-
חלק לא: IRF532F1
יצרן:
ST-Microelectronicsטמפרטורה:
תיאור:
N-channel MOSFET, 100V, 8APDF גודל: Kb PDF דפים: Page
DatasheetPDF PDF נמצאו 1 מסמכים מתאימים את השאילתה:
נתונים הורד:
IRF532F1 PDF
חלק לא קשורים
- IRF530 Motorola,
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR - IRF530/D
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate - IRF5305 International Rectifier
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) - IRF5305L International Rectifier
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) - IRF5305LPBF International Rectifier
HEXFET Power MOSFET - IRF5305PBF International Rectifier
- IRF5305S International Rectifier
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) - IRF5305SPBF International Rectifier
HEXFET Power MOSFET - IRF5305STRL
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB - IRF5305STRR
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB - IRF530A Fairchild Semiconductor
Advanced Power MOSFET - IRF530D Semi
TMOS POWER AMPERES - IRF530F1 ST-Microelectronics
N-channel MOSFET, 100V, 9A - IRF530FI STMicroelectronics
CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR - IRF530FP STMicroelectronics
CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam