Таблични пдф за RFP10P12 резултате претраживања

• Део Бр: RFP10P12

  Производјач:
  GESS[GE

  Температура:
  

  Опис:
  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

  ПДФ Величина датотеке: Kb ПДФ Резултати: Page

  Купити RFP10P12

ДатасхеетПДФ пронашао 1 ПДФ докумената који одговарају вашем упиту:

Таблични Доунлоад:
RFP10P12 PDF

Сродне део не

• RFP10N12 GESS[GE
  N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
• RFP10N12L
  TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
• RFP10N15 INTERSIL[Intersil Corporation]
  150V 0.300 N-Channel Power MOSFETs
• RFP10N15L
  TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
• RFP10P03L INTERSIL[Intersil Corporation]
  0.200 Logic Level, P-Channel Power MOSFET
• RFP10P12 GESS[GE
  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
• RFP10P15 INTERSIL[Intersil Corporation]
  -10A, -150V, 0.500 P-Channel Power MOSFET

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam