Δελτίο pdf για 2SC3836 τα αποτελέσματα αναζήτησης
-
Δεν Μέρος: 2SC3836
Παραγωγός:
Hitachi SemiconductorΘερμοκρασία:
Περιγραφη:
Silicon EpitaxialPDF Μέγεθος: Kb PDF Σελίδες: Page
DatasheetPDF βρέθηκε 1 PDF έγγραφα ταιριάζουν με το ερώτημά σας:
Κατεβάστε το δελτίο:
2SC3836 PDF
Σχετικές μέρος δεν
- 2SC3000 Sanyo
Epitaxial Planar Silicon Transistor - 2SC3000D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 - 2SC3000E
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 - 2SC3000F
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 - 2SC3001 Mitsubishi Electric Semiconductor
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3004 Hitachi Semiconductor
Silicon NPN Epitaxial(???NPN????? - 2SC3006 Toshiba Semiconductor
TRANSISTOR BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) - 2SC3007 Toshiba Semiconductor
SILICON EPITAXIAL TYPE PROCESS) - 2SC3011 Toshiba
UHF~C BAND NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS - 2SC3012
SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR - 2SC3017 Mitsubishi
EPITAXIAL PLANAR TYPE - 2SC3018 Mitsubishi Electric Semiconductor
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3019 Mitsubishi
EPITAXIAL PLANAR TYPE - 2SC3020 Mitsubishi Electric Semiconductor
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3021 Mitsubishi Electric Semiconductor
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR)
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam