Δελτίο pdf για GT15J31106 τα αποτελέσματα αναζήτησης
-
Δεν Μέρος: GT15J31106
Παραγωγός:
Toshiba SemiconductorΘερμοκρασία:
Περιγραφη:
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONSPDF Μέγεθος: Kb PDF Σελίδες: Page
DatasheetPDF βρέθηκε 1 PDF έγγραφα ταιριάζουν με το ερώτημά σας:
Κατεβάστε το δελτίο:
GT15J31106 PDF
Σχετικές μέρος δεν
- GT15J311 Toshiba Semiconductor
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS - GT15J311(SM)
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-263AB - GT15J31106 Toshiba Semiconductor
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS - GT15J311SM Toshiba Semiconductor
Silicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N????????????????? - GT15J311_06 Toshiba Semiconductor
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam