Δελτίο pdf για IRF530 τα αποτελέσματα αναζήτησης
-
Δεν Μέρος: IRF530
Παραγωγός:
Motorola,Θερμοκρασία:
Περιγραφη:
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTORPDF Μέγεθος: Kb PDF Σελίδες: Page
DatasheetPDF βρέθηκε 1 PDF έγγραφα ταιριάζουν με το ερώτημά σας:
Κατεβάστε το δελτίο:
IRF530 PDF
Σχετικές μέρος δεν
- IRF500 ETC
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED - IRF500C10RJ ETC
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED - IRF510 Supertex,
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs - IRF510-513 Fairchild Semiconductor
N-Channel Power MOSFETs, 60-100V - IRF510A Fairchild Semiconductor
Advanced Power MOSFET - IRF510PBF International Rectifier
HEXFET POWER MOSFET - IRF510R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB - IRF510S International Rectifier
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A) - IRF510SPBF International Rectifier
HEXFET Power MOSFET - IRF511 SUTEX[Supertex
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs - IRF511R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB - IRF512 Fairchild Semiconductor
N-Channel Power MOSFETs, 60-100V - IRF512R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB - IRF513 Fairchild Semiconductor
N-Channel Power MOSFETs, 60-100V - IRF513R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam