Datu lapā PDF Par MGW12N120D meklēšanas rezultāti
-
Daļa Nr: MGW12N120D
Ražotājs:
MOTOROLA[Motorola,Temperatūra:
Apraksts
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel DiodePDF izmērs: Kb PDF lapas: Page
DatasheetPDF konstatēts 1 PDF dokumentus, kas atbilst jūsu jautājumu:
Datu lapā Lejupielādēt:
MGW12N120D PDF
Saistītās puses nav
- MGW12N120 MOTOROLA[Motorola,
Insulated Gate Bipolar Transistor - MGW12N120D MOTOROLA[Motorola,
Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode - MGW12N120ED Semi
IGBT TO-47 1200 VOLTS
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam