Datu lapā PDF Par PHB2N50E meklēšanas rezultāti
-
Daļa Nr: PHB2N50E
Ražotājs:
PHILIPS[Philips Semiconductors]Temperatūra:
Apraksts
PowerMOS transistors Avalanche energy ratedPDF izmērs: Kb PDF lapas: Page
DatasheetPDF konstatēts 1 PDF dokumentus, kas atbilst jūsu jautājumu:
Datu lapā Lejupielādēt:
PHB2N50E PDF
Saistītās puses nav
- PHB2N40T/R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-404 - PHB2N50 PHILIPS[Philips Semiconductors]
PowerMOS transistor - PHB2N50E PHILIPS[Philips Semiconductors]
PowerMOS transistors Avalanche energy rated - PHB2N60E PHILIPS[Philips Semiconductors]
PowerMOS transistors Avalanche energy rated - PHB2N60T/R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-404
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam