Datu lapā PDF Par PHB6N60E meklēšanas rezultāti
-
Daļa Nr: PHB6N60E
Ražotājs:
Philips SemiconductorsTemperatūra:
Apraksts
PowerMOS transistors Avalanche energy ratedPDF izmērs: Kb PDF lapas: Page
DatasheetPDF konstatēts 1 PDF dokumentus, kas atbilst jūsu jautājumu:
Datu lapā Lejupielādēt:
PHB6N60E PDF
Saistītās puses nav
- PHB6N50E PHILIPS[Philips Semiconductors]
PowerMOS transistors Avalanche energy rated - PHB6N60E Philips Semiconductors
PowerMOS transistors Avalanche energy rated - PHB6N60T/R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-404 - PHB6ND50E PHILIPS[Philips Semiconductors]
PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam