PDF už 2SC212007 paieškos rezultatai

• Dalis Nr: 2SC212007

  Gamintojas:
  Toshiba Semiconductor

  Temperatūra:
  

  Aprašymas:
  Silicon Epitaxial Type process)

  PDF Dydis: Kb PDF Puslapiai: Page

  Pirkti 2SC212007

DatasheetPDF rasta +1 PDF dokumentus, atitinkančių jūsų užklausą:

Specifikacija Atsisiųsti:
2SC212007 PDF

Susijusios dalis jokiu

• 2SC2120 Toshiba Semiconductor
  TRANSISTOR (AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
• 2SC212007 Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Type process)
• 2SC2120O
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
• 2SC2120Y
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
• 2SC2120_07 Toshiba Semiconductor
  Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
• 2SC2122 Inchange Semiconductor Company Limited
  Silicon Power Transistors
• 2SC2123 Inchange Semiconductor Company Limited
  Silicon Power Transistors
• 2SC2125A Shindengen
  POWER TRANSISTOR
• 2SC2127A Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
  
• 2SC2128A Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
  

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam