Технические характеристики PDF для IRF5305S результаты поиска

• Electronic component: IRF5305S

  Произв:
  International Rectifier

  Температура:
  

  Описание:
  Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)

  PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page

  Покупать IRF5305S

DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Технические характеристики Загрузить:
IRF5305S PDF

Похожие части нет

• IRF530 Motorola,
  N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
• IRF530/D
  N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
• IRF5305 International Rectifier
  Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
• IRF5305L International Rectifier
  Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
• IRF5305LPBF International Rectifier
  HEXFET Power MOSFET
• IRF5305PBF International Rectifier
  
• IRF5305S International Rectifier
  Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
• IRF5305SPBF International Rectifier
  HEXFET Power MOSFET
• IRF5305STRL
  TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
• IRF5305STRR
  TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
• IRF530A Fairchild Semiconductor
  Advanced Power MOSFET
• IRF530D Semi
  TMOS POWER AMPERES
• IRF530F1 ST-Microelectronics
  N-channel MOSFET, 100V, 9A
• IRF530FI STMicroelectronics
  CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR
• IRF530FP STMicroelectronics
  CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam