Технические характеристики PDF для K4F160812D-B результаты поиска
-
Electronic component: K4F160812D-B
Произв:
SamsungТемпература:
Описание:
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:
Технические характеристики Загрузить:
K4F160812D-B PDF
Похожие части нет
- K4F160811D Samsung semiconductor
8Bit CMOS Dynamic with Fast Page Mode - K4F160811D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4F160811D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4F160812D Samsung semiconductor
8Bit CMOS Dynamic with Fast Page Mode - K4F160812D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle. - K4F160812D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam