Таблични пдф за 2SA814 резултате претраживања
-
Део Бр: 2SA814
Производјач:
Toshiba SemiconductorТемпература:
Опис:
SILICON EPITAXIAL BASE MESA TYPEПДФ Величина датотеке: Kb ПДФ Резултати: Page
ДатасхеетПДФ пронашао 1 ПДФ докумената који одговарају вашем упиту:
Таблични Доунлоад:
2SA814 PDF
Сродне део не
- 2SA802
TRANSISTOR | BJT | PNP | 130V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP - 2SA805
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP - 2SA806
TRANSISTOR | BJT | PNP | 210V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP - 2SA807 Inchange
Silicon Power Transistors - 2SA808 Inchange
Silicon Power Transistor - 2SA808A
2SA807 2SA808 2SA808A - 2SA811A Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
Silicon Epitaxial Transistor - 2SA811A-L NEC
Silicon transistor - 2SA811A-T1B NEC
Silicon transistor - 2SA811A-T2B NEC
Silicon transistor - 2SA811AC15
BJT - 2SA811AC16
BJT - 2SA811AC17
BJT - 2SA811AC18
BJT - 2SA812 Electron Devices
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam