Специфікацію PDF для BUZ102S-4 результати пошуку
-
Частина Ні: BUZ102S-4
Виробник:
InfineonТемпература:
Опис:
SIPMOS Power TransistorPDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page
DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:
Завантажити специфікацію:
BUZ102S-4 PDF
Пов'язані сторона не має
- BUZ102 Siemens Semiconductor Group
SIPMOS Power Transistor channel Enhancement mode Avalanche-rated rated) - BUZ102AL Siemens Semiconductor Group
SIPMOS Power Transistor channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level rated) - BUZ102S Siemens Semiconductor Group
SIPMOS Power Transistor channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) - BUZ102S-4 Infineon
SIPMOS Power Transistor - BUZ102S4
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.4A I(D) | SO - BUZ102SE3045 Infineon Technologies
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,52A I(D),TO-263AB - BUZ102SE3045A Infineon Technologies
SIPMOS Power Transistor - BUZ102SL Siemens Semiconductor Group
SIPMOS Power Transistor channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated) - BUZ102SL-4 Siemens Semiconductor Group
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated rated) - BUZ102SL4
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | SO - BUZ102SLE3045
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 47A I(D) | TO-263AB
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam