Специфікацію PDF для IRG4BC10SDPBF результати пошуку

• Частина Ні: IRG4BC10SDPBF

  Виробник:
  

  Температура:
  

  Опис:
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

  PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page

  Купувати IRG4BC10SDPBF

DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:

Завантажити специфікацію:
IRG4BC10SDPBF PDF

Пов'язані сторона не має

• IRG4BC10S International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
• IRG4BC10SD International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
• IRG4BC10SD-L International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
• IRG4BC10SD-LPBF International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
• IRG4BC10SD-S International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
• IRG4BC10SD-SPBF International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
• IRG4BC10SD-STRL
  TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
• IRG4BC10SD-STRR
  TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
• IRG4BC10SDPBF
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
• IRG4BC10SPBF International
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam