Datasheet PDF
  • SDatasheet PDF
  • EВиробник напівпровідників
  • EКарта сайту
  • MКонтакт

Шлях: Datasheet PDF > Виробник напівпровідників > IRG4BC30FD > IRG4BC30FD Datasheet

Специфікацію PDF для IRG4BC30FD результати пошуку

  • Частина Ні: IRG4BC30FD

    Виробник:
    International Rectifier

    Температура:

    Опис:
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

    PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page

    Купувати IRG4BC30FD

DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:

Завантажити специфікацію:
IRG4BC30FD PDF

Пов'язані сторона не має

  • IRG4BC30 IRF[International Rectifier]
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
  • IRG4BC30F International Rectifier
    Rate Equivalent Device Hours
  • IRG4BC30FD International Rectifier
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
  • IRG4BC30FD-S IRF[International Rectifier]
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRG4BC30FD-SPBF International Rectifier
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRG4BC30FD1 IRF[International Rectifier]
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRG4BC30FD1PBF International Rectifier
    Fast CoPack IGBT
  • IRG4BC30FDPBF International Rectifier
    Fast CoPack 1GBT VCES 600V VCE(on)typ. 1.59V
  • IRG4BC30FPBF IRF[International Rectifier]
    Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • IRG4BC30K International Rectifier
    Rate Equivalent Device Hours
  • IRG4BC30K-S
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRG4BC30K-S04 IRF[International Rectifier]
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRG4BC30K-SPBF International Rectifier
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
  • IRG4BC30K-S_04 International Rectifier
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRG4BC30KD International Rectifier
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam

IRG4BC30FD Data sheet Контакт | Карта сайту | Швидкі посилання