Специфікацію PDF для K4E160812D-F результати пошуку
-
Частина Ні: K4E160812D-F
Виробник:
SamsungТемпература:
Опис:
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page
DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:
Завантажити специфікацію:
K4E160812D-F PDF
Пов'язані сторона не має
- K4E160811D SAMSUNG[Samsung semiconductor]
8Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E160811D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4E160811D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4E160812D Samsung semiconductor
8Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E160812D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle. - K4E160812D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam