Специфікацію PDF для K4R441869B-NCK8 результати пошуку

• Частина Ні: K4R441869B-NCK8

  Виробник:
  SAMSUNG[Samsung semiconductor]

  Температура:
  

  Опис:
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM

  PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page

  Купувати K4R441869B-NCK8

DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:

Завантажити специфікацію:
K4R441869B-NCK8 PDF

Пов'язані сторона не має

• K4R441869B Samsung semiconductor
  256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-MCG6 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-MCK7 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-MCK8 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-N(M)CG6 Samsung semiconductor
  256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-N(M)CK7 Samsung semiconductor
  256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-N(M)CK8 Samsung semiconductor
  256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-NCG6 Samsung semiconductor
  256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-NCK7 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-NCK8 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-NMCK7 Samsung semiconductor
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM
• K4R441869B-NMCK8 Samsung semiconductor
  256K 16/18 banks Direct RDRAMTM

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam