Datasheet PDF voor GT10J32106 zoekresultaten

• Onderdeelnummer: GT10J32106

  Fabrikant:
  Toshiba Semiconductor

  Temperatuur:
  

  Beschrijving:
  Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

  PDF Grootte: Kb PDF Pagina's: Page

  Kopen GT10J32106

DatasheetPDF gevonden 1 PDF-documenten die overeenkomen met uw zoekopdracht:

Datasheet Download:
GT10J32106 PDF

Verwante deel nr.

• GT10J321 Toshiba Semiconductor
  TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Chanenel IGBT
• GT10J32106 Toshiba Semiconductor
  Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
• GT10J321_06 Toshiba Semiconductor
  Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam