Karta katalogowa PDF dla K4R881869 wyników wyszukiwania
-
Część nr: K4R881869
Producent:
SAMSUNG [Samsung semiconductor]Temperatura:
Opis:
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTMPDF Rozmiar: Kb PDF Strony: Page
DatasheetPDF znaleziono 1 pasujących dokumentów PDF zapytanie:
Dane Download:
K4R881869 PDF
Powiązane Część nr
- K4R881869 SAMSUNG [Samsung semiconductor]
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTM - K4R881869D SAMSUNG[Samsung semiconductor]
256/288Mbit RDRAM(D-die) - K4R881869I-DC Samsung
Direct RDRAM Product Guide - K4R881869M SAMSUNG[Samsung semiconductor]
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTM - K4R881869M-NBCCG6 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTM - K4R881869M-NCG6 Samsung
512K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time 53.3 ns, I/O freq. 600 MHz. - K4R881869M-NCK7 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTM - K4R881869M-NCK8 SAMSUNG[Samsung semiconductor]
288Mbit RDRAM 512K Dependent Banks Direct RDRAMTM
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam