Технические характеристики PDF для 2SB106706 результаты поиска

• Electronic component: 2SB106706

  Произв:
  Toshiba

  Температура:
  

  Описание:
  Silicon Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)

  PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page

  Покупать 2SB106706

DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Технические характеристики Загрузить:
2SB106706 PDF

Похожие части нет

• 2SB1061 Hitachi Semiconductor
  Silicon Triple Diffused Frequency Power Amplifier
• 2SB1062
  Epitaxial Plannar
• 2SB1063 Matsshita Panasonic
  Power Transistors
• 2SB1063P
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
• 2SB1063Q
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
• 2SB1063R
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
• 2SB1064 Inchange
  Silicon Power Transistors
• 2SB1065 Inchange
  Silicon Power Transistors
• 2SB1066M Rohm
  Epitaxial Planar Silicon Transistors
• 2SB1067 Toshiba Semiconductor
  TRANSISTOR (MICRO NOTER DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
• 2SB106706 Toshiba
  Silicon Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
• 2SB1067_06 Toshiba Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
• 2SB1068
  SILICON TRANSISTOR
• 2SB1068K NEC
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
• 2SB1068L NEC
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam