Таблични пдф за 2SC195907 резултате претраживања

• Део Бр: 2SC195907

  Производјач:
  Toshiba Semiconductor

  Температура:
  

  Опис:
  Silicon Epitaxial Type process)

  ПДФ Величина датотеке: Kb ПДФ Резултати: Page

  Купити 2SC195907

ДатасхеетПДФ пронашао 1 ПДФ докумената који одговарају вашем упиту:

Таблични Доунлоад:
2SC195907 PDF

Сродне део не

• 2SC1953 Panasonic Semiconductor
  
• 2SC1953Q
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
• 2SC1953R
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
• 2SC1953S
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
• 2SC1953T
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126
• 2SC1955
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 17V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-39
• 2SC1959 Toshiba
  AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS SWITCHING APPLICATIONS
• 2SC195907 Toshiba Semiconductor
  Silicon Epitaxial Type process)
• 2SC1959GR
  TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
• 2SC1959O
  BJT
• 2SC1959Y
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
• 2SC1959_07 Toshiba Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam