Специфікацію PDF для BF961A результати пошуку
-
Частина Ні: BF961A
Виробник:
Vishay SiliconixТемпература:
Опис:
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion ModePDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page
DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:
Завантажити специфікацію:
BF961A PDF
Пов'язані сторона не має
- BF960 Vishay Telefunken
N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE - BF961 Vishay
N??Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode,Depletion Mode - BF961A Vishay Siliconix
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode - BF961B Vishay Siliconix
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode - BF963
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103 - BF964 Vishay Siliconix
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode - BF964S Vishay Siliconix
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode - BF964SA
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR - BF964SB
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR - BF965
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 - BF966
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103 - BF966S Vishay Telefunken
N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode - BF966SA
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR - BF966SB
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR - BF967 Siemens Semiconductor Group
SILICON PLANAR TRANSISTOR
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam