Datasheet PDF ل=== RFP10P12 نتائج البحث
-
الجزء رقم : RFP10P12
الصانع :
GESS[GEدرجة الحراره :
الوصف :
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORSPDF الحجم : Kb PDF صفحات : Page
DatasheetPDF العثور على وثائق PDF 1 مطابقه الاستفسار :
Datasheet تحميل :
RFP10P12 PDF
ذات الصلة جزءا لا
- RFP10N12 GESS[GE
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS - RFP10N12L
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB - RFP10N15 INTERSIL[Intersil Corporation]
150V 0.300 N-Channel Power MOSFETs - RFP10N15L
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB - RFP10P03L INTERSIL[Intersil Corporation]
0.200 Logic Level, P-Channel Power MOSFET - RFP10P12 GESS[GE
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS - RFP10P15 INTERSIL[Intersil Corporation]
-10A, -150V, 0.500 P-Channel Power MOSFET
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam