Δελτίο pdf για K4E160812D τα αποτελέσματα αναζήτησης
-
Δεν Μέρος: K4E160812D
Παραγωγός:
Samsung semiconductorΘερμοκρασία:
Περιγραφη:
8Bit CMOS Dynamic with Extended DataPDF Μέγεθος: Kb PDF Σελίδες: Page
DatasheetPDF βρέθηκε 1 PDF έγγραφα ταιριάζουν με το ερώτημά σας:
Κατεβάστε το δελτίο:
K4E160812D PDF
Σχετικές μέρος δεν
- K4E160811D SAMSUNG[Samsung semiconductor]
8Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E160811D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4E160811D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle. - K4E160812D Samsung semiconductor
8Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E160812D-B Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle. - K4E160812D-F Samsung
2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam