Δελτίο pdf για K4E160812D-B τα αποτελέσματα αναζήτησης

• Δεν Μέρος: K4E160812D-B

  Παραγωγός:
  Samsung

  Θερμοκρασία:
  

  Περιγραφη:
  2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

  PDF Μέγεθος: Kb PDF Σελίδες: Page

  Αγοράζω K4E160812D-B

DatasheetPDF βρέθηκε 1 PDF έγγραφα ταιριάζουν με το ερώτημά σας:

Κατεβάστε το δελτίο:
K4E160812D-B PDF

Σχετικές μέρος δεν

• K4E160811D SAMSUNG[Samsung semiconductor]
  8Bit CMOS Dynamic with Extended Data
• K4E160811D-B Samsung
  2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle.
• K4E160811D-F Samsung
  2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle.
• K4E160812D Samsung semiconductor
  8Bit CMOS Dynamic with Extended Data
• K4E160812D-B Samsung
  2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.
• K4E160812D-F Samsung
  2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 2K refresh cycle.

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam