Специфікацію PDF для BUL642D2G результати пошуку
-
Частина Ні: BUL642D2G
Виробник:
SemiconductorТемпература:
Опис:
High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation NetworkPDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page
DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:
Завантажити специфікацію:
BUL642D2G PDF
Пов'язані сторона не має
- BUL642D2 Semiconductor
High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network - BUL642D2G Semiconductor
High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam