Специфікацію PDF для BUL642D2 результати пошуку

• Частина Ні: BUL642D2

  Виробник:
  Semiconductor

  Температура:
  

  Опис:
  High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network

  PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page

  Купувати BUL642D2

DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:

Завантажити специфікацію:
BUL642D2 PDF

Пов'язані сторона не має

• BUL642D2 Semiconductor
  High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network
• BUL642D2G Semiconductor
  High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network
• BUL64A SEME-LAB[Seme
  ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SILICON POWER TRANSISTOR
• BUL64B SEME-LAB[Seme
  ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SILICON POWER TRANSISTOR

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam