Специфікацію PDF для K4E151612D-T результати пошуку
-
Частина Ні: K4E151612D-T
Виробник:
SamsungТемпература:
Опис:
1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 1K refresh cycle.PDF Розмір: Kb PDF Сторінки: Page
DatasheetPDF знайдено 1 PDF документи, які відповідають вашому запиту:
Завантажити специфікацію:
K4E151612D-T PDF
Пов'язані сторона не має
- K4E151611 Samsung semiconductor
16Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E151611D Samsung semiconductor
16Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E151611D-J Samsung
1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 1K refresh cycle. - K4E151611D-T Samsung
1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 1K refresh cycle. - K4E151612D Samsung semiconductor
16Bit CMOS Dynamic with Extended Data - K4E151612D-J Samsung
1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 1K refresh cycle. - K4E151612D-T Samsung
1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 1K refresh cycle.
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam